2024年，在世界集成電路協(xié)會發(fā)布的2023年全球集成電路產(chǎn)業(yè)綜合競爭力百強城市白皮書中，無錫位列第15位，國內(nèi)僅次于上海、北京。特別是無錫高新區(qū)，位列全國高新區(qū)第二、僅次于上海張江，其中，2024年第三代半導體產(chǎn)業(yè)（以下簡稱“三代半產(chǎn)業(yè)”）實現(xiàn)產(chǎn)值118億元、入選全省未來產(chǎn)業(yè)先行集聚發(fā)展試點。

三代半具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、抗輻射能力強等優(yōu)點，一直被視為“后摩爾時代”實現(xiàn)芯片性能突破的關鍵技術之一，是新一代移動通信、新能源汽車、AI 算力中心等領域的“新發(fā)動機”，已成為全球集成電路產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略競爭高地。雖然我市三代半產(chǎn)業(yè)發(fā)展初有成效，但面對當前國際經(jīng)貿(mào)復雜環(huán)境，對比國內(nèi)重點城市產(chǎn)業(yè)態(tài)勢，還存在布局略顯滯后、產(chǎn)業(yè)鏈條全而不強、創(chuàng)新能級尚待提升、核心人才缺乏等情況，無錫要集中精力、堅定不移匯智聚力發(fā)展三代半產(chǎn)業(yè)，把集成電路產(chǎn)業(yè)地標推向更高。

一、發(fā)力三代半新賽道。三代半以碳化硅、氮化鎵為主要代表，資料顯示，碳化硅器件市場滲透率2027年預計超過20%、2029年達100億美元。2025年射頻、功率氮化鎵市場規(guī)模預計超25億美元。要順應技術迭代進步、尊重市場發(fā)展規(guī)律，抓住現(xiàn)階段我市集成電路產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)勢，加大力度支持發(fā)展三代半產(chǎn)業(yè)。分析、借鑒先行城市做法，精心編制“十五五”專項規(guī)劃，支持江南大學、無錫學院、太湖學院等高校相關研究機構建設，深化產(chǎn)學研合作。加強與國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）和（南京）等的合作，扎實推進新吳區(qū)三代半省級未來產(chǎn)業(yè)先行集聚發(fā)展試點，持續(xù)厚植我市集成電路產(chǎn)業(yè)領先優(yōu)勢、發(fā)展壯大三代半產(chǎn)業(yè)集群規(guī)模。

二、突出鍛長項補短板。總體而言，我市三代半產(chǎn)業(yè)，在器件制造、封裝（模組）領域擁有較強競爭力；在襯底、外延領域相對較弱，而且目前國內(nèi)產(chǎn)能嚴重過剩，國家發(fā)改委已對該類項目加嚴窗口指導。要乘勢放大優(yōu)勢，緊盯三代半制造工藝和新型封裝難點，組織行業(yè)頭部企業(yè)實施聯(lián)合攻關，著重發(fā)展三代半器件及封裝環(huán)節(jié)，并積極提供三代半代工。在碳化硅器件領域，建議大力支持我市一些6英寸及以下硅基功率器件產(chǎn)線，經(jīng)適當改造增添部分設備用來生產(chǎn)碳化硅功率器件。如華潤微電子就是利用現(xiàn)有生產(chǎn)線來發(fā)展三代半產(chǎn)品，2024年企業(yè)碳化硅和氮化鎵功率器件的銷售收入同比增長135%。材料和裝備是我市集成電路產(chǎn)業(yè)短板之一，三代半對高溫和刻蝕硬度及深寬比的要求更高，目前國內(nèi)外頭部企業(yè)并未全部涉及，建議積極探索、嵌入發(fā)展，如在材料側(cè)，目前4-6寸碳化硅襯底市場已較為飽和，可大力引進國內(nèi)外頭部企業(yè)來錫建設8-12寸晶圓線。

三、大力建設三代半特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)。目前我市體現(xiàn)三代半特色的集成電路產(chǎn)業(yè)園區(qū)還是空白。要進一步完善特色園區(qū)規(guī)劃布局，加強統(tǒng)籌指導，推動集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)達板塊優(yōu)化提升、其它板塊規(guī)劃新建三代半產(chǎn)業(yè)園區(qū)。要按照“六個一”標準（規(guī)劃、主導產(chǎn)業(yè)、專業(yè)隊伍、專項政策、創(chuàng)新平臺、產(chǎn)業(yè)基金）推動特色園區(qū)對標建設。

積極引育行業(yè)龍頭。加大扶持現(xiàn)有骨干企業(yè)，支持向產(chǎn)業(yè)鏈上下游拓展，組建三代半垂直整合型企業(yè)，因地制宜引進一批擁有國際前沿技術、國內(nèi)領先的企業(yè)；同時，培育挖掘扶持一批“專精特新”企業(yè)，形成產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)的自主創(chuàng)新優(yōu)勢。

積極優(yōu)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)。布局三代半領域國家級公共服務平臺、技術創(chuàng)新平臺，同時充分發(fā)揮無錫國家“芯火”雙創(chuàng)基地、國家集成電路特色工藝及封裝測試創(chuàng)新中心等重點平臺的作用，全面提升我市三代半技術、標準、檢驗檢測等能力；同時，積極吸引國內(nèi)外一流高校參與我市三代半領域的研究與開發(fā)。

積極引育高端人才。加強與先進省市人才政策的比對，進一步優(yōu)化無錫人才政策，提升對三代半領域人才的吸引力。如蘇州市通過實施“海鷗計劃”，支持企業(yè)以兼職、顧問等形式引進海外高端人才，已吸引千名高端人才參與三代半研發(fā)。

四、前瞻布局第四代半導體產(chǎn)業(yè)。目前，作為技術發(fā)展的科學趨勢，以金剛石、氧化鎵為代表的第四代半導體已經(jīng)破題。今年3月，杭州鎵仁半導體公司發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀錄。第四代半導體在超高壓電力電子器件、射頻電子發(fā)射器、深紫外光電探測器、量子通信和極端環(huán)境應用等領域具有巨大前景。無錫要見事早、行動快、搶先機，果斷超前決策部署第四代半導體材料的關鍵技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)培育。要加強與市內(nèi)、省內(nèi)高校相關強勢專業(yè)和優(yōu)質(zhì)團隊的緊密合作，建設研發(fā)平臺、支持研發(fā)項目、開設相關專業(yè)培養(yǎng)專技人才，加強政產(chǎn)學研合作。鼓勵國企和集成電路產(chǎn)業(yè)專項基金、引導社會資本積極關注第四代半導體企業(yè)，投早投長期。今年4月，華泰國際能源開發(fā)公司芯片級金剛石封裝基板制造總部簽約落戶江陰，一期投資13億元、三期累計總投資達50億元，助力我市成為國內(nèi)最大的第四代半導體芯片基板產(chǎn)業(yè)制造基地。要以此類龍頭項目為牽引，謀劃建設第四代半導體特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)，吸引產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)入駐，形成產(chǎn)業(yè)集聚效應。加強知識產(chǎn)權保護，提升我市第四代半導體產(chǎn)業(yè)競爭力，進一步夯實我市集成電路產(chǎn)業(yè)集群在全國、全球的領先實力。